casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB180N04S4L01ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB180N04S4L01ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB180N04S4L01ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB180N04S4L01ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 140µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 245nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 19100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7-3 |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB180N04S4L01ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB180N04S4L01ATMA1-FT |
IRFZ44Z
Infineon Technologies
IRFZ46Z
Infineon Technologies
IRFZ46ZPBF
Infineon Technologies
IRFZ48Z
Infineon Technologies
IRFZ48ZPBF
Infineon Technologies
IRL1004
Infineon Technologies
IRL1104
Infineon Technologies
IRL1104PBF
Infineon Technologies
IRL3102
Infineon Technologies
IRL3102PBF
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel