casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP80N06S3L-05
codice articolo del costruttore | IPP80N06S3L-05 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP80N06S3L-05 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP80N06S3L-05 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 69A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 115µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 273nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13060pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 165W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S3L-05 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP80N06S3L-05-FT |
IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R074C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099C6XKSA1
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IPP60R099C7XKSA1
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IPP60R099CPAAKSA1
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IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125CPXKSA1
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IPP60R125P6XKSA1
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