casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP60R060C7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP60R060C7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP60R060C7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPP60R060C7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 15.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2850pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 162W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R060C7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP60R060C7XKSA1-FT |
IPP070N06N G
Infineon Technologies
IPP070N08N3 G
Infineon Technologies
IPP072N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP07N03LB G
Infineon Technologies
IPP080N03L G
Infineon Technologies
IPP080N06N G
Infineon Technologies
IPP084N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP084N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP086N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel