casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP054NE8NGHKSA2
codice articolo del costruttore | IPP054NE8NGHKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP054NE8NGHKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP054NE8NGHKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12100pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP054NE8NGHKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP054NE8NGHKSA2-FT |
IPP70N04S406AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P03P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N08S403AKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP032N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP120N04S302AKSA1
Infineon Technologies
IPP90R340C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies