casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP054NE8NGHKSA2
codice articolo del costruttore | IPP054NE8NGHKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP054NE8NGHKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP054NE8NGHKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12100pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP054NE8NGHKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP054NE8NGHKSA2-FT |
IPP70N04S406AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P03P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N08S403AKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP032N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP120N04S302AKSA1
Infineon Technologies
IPP90R340C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel