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Infineon Technologies IPP051N15N5AKSA1

Name: IPP051N15N5AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP051N15N5AKSA1
Price: 5.568 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (450 reviews)

Numero parte MFG: IPP051N15N5AKSA1

quantità disponibile: 35560 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 5.568

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ 5 MV POWER MOS

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPP051N15N5AKSA1.pdf

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IPP051N15N5AKSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPP051N15N5AKSA1
Numero di parte futuro	FT-IPP051N15N5AKSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™ 5
IPP051N15N5AKSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.6V @ 264µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7800pF @ 75V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP051N15N5AKSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPP051N15N5AKSA1-FT

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