casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP039N04LGHKSA1
codice articolo del costruttore | IPP039N04LGHKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP039N04LGHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP039N04LGHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 45µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP039N04LGHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP039N04LGHKSA1-FT |
IPP037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP80N03S4L03AKSA1
Infineon Technologies
IPP037N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP126N10N3GXKSA1
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BUZ30AHXKSA1
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IPP041N04NGXKSA1
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IPP100N10S305AKSA1
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IPP50R299CPXKSA1
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IPP200N25N3GXKSA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
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A3P125-2PQ208I
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A3P250L-VQG100I
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EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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