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Infineon Technologies BUZ30AHXKSA1

Name: BUZ30AHXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BUZ30AHXKSA1
Price: 1.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (168 reviews)

Numero parte MFG: BUZ30AHXKSA1

quantità disponibile: 62230 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.928

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BUZ30AHXKSA1.pdf

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BUZ30AHXKSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BUZ30AHXKSA1
Numero di parte futuro	FT-BUZ30AHXKSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
BUZ30AHXKSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ30AHXKSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BUZ30AHXKSA1-FT

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