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codice articolo del costruttore | IPP041N04NGXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP041N04NGXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP041N04NGXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 45µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP041N04NGXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP041N04NGXKSA1-FT |
IRFP4310ZPBF
Infineon Technologies
IRFP150NPBF
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IRFP7430PBF
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
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A3P400-1FGG484I
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A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
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