casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP037N06L3GXKSA1
codice articolo del costruttore | IPP037N06L3GXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP037N06L3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP037N06L3GXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP037N06L3GXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP037N06L3GXKSA1-FT |
IRFP3710PBF
Infineon Technologies
IRFP4710PBF
Infineon Technologies
IRFP044NPBF
Infineon Technologies
IRFP4310ZPBF
Infineon Technologies
IRFP150NPBF
Infineon Technologies
IRFP7430PBF
Infineon Technologies
IRFP260MPBF
Infineon Technologies
IRFP1405PBF
Infineon Technologies
IRFP2907ZPBF
Infineon Technologies
IRFP90N20DPBF
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel