casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP037N08N3GE8181XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP037N08N3GE8181XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP037N08N3GE8181XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.75 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8110pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP037N08N3GE8181XKSA1-FT |
IPP083N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP80N03S4L03AKSA1
Infineon Technologies
IPP037N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP126N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
BUZ30AHXKSA1
Infineon Technologies
IPP041N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP100N10S305AKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
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EPF6016AFC100-3N
Intel