casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP037N08N3GE8181XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP037N08N3GE8181XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP037N08N3GE8181XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.75 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8110pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP037N08N3GE8181XKSA1-FT |
IPP083N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP80N03S4L03AKSA1
Infineon Technologies
IPP037N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP126N10N3GXKSA1
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BUZ30AHXKSA1
Infineon Technologies
IPP041N04NGXKSA1
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IPP100N10S305AKSA1
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