casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPN80R600P7ATMA1
codice articolo del costruttore | IPN80R600P7ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPN80R600P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPN80R600P7ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 500V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 7.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223 |
Pacchetto / caso | TO-261-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN80R600P7ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPN80R600P7ATMA1-FT |
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R255P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R070C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R099C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R130C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R165CFDAUMA1
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
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APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
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LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
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10CL080YF780C6G
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