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codice articolo del costruttore | IPN80R600P7ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPN80R600P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPN80R600P7ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 500V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 7.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223 |
Pacchetto / caso | TO-261-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN80R600P7ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPN80R600P7ATMA1-FT |
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R255P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R070C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R099C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R130C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R165CFDAUMA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel