casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPL60R255P6AUMA1
codice articolo del costruttore | IPL60R255P6AUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPL60R255P6AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P6 |
IPL60R255P6AUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 255 mOhm @ 6.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 530µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 126W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-VSON-4 |
Pacchetto / caso | 4-PowerTSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL60R255P6AUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPL60R255P6AUMA1-FT |
IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA50R650CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
Intel