casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPL65R165CFDAUMA1
codice articolo del costruttore | IPL65R165CFDAUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPL65R165CFDAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPL65R165CFDAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 9.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 195W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-VSON-4 |
Pacchetto / caso | 4-PowerTSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL65R165CFDAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPL65R165CFDAUMA1-FT |
IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R190E6XKSA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel