casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPL60R365P7AUMA1
codice articolo del costruttore | IPL60R365P7AUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPL60R365P7AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPL60R365P7AUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 365 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 555pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 46W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-VSON-4 |
Pacchetto / caso | 4-PowerTSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL60R365P7AUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPL60R365P7AUMA1-FT |
IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel