casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPL60R365P7AUMA1
codice articolo del costruttore | IPL60R365P7AUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPL60R365P7AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPL60R365P7AUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 365 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 555pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 46W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-VSON-4 |
Pacchetto / caso | 4-PowerTSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL60R365P7AUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPL60R365P7AUMA1-FT |
IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel