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Infineon Technologies IPN80R2K4P7ATMA1

Numero parte MFG
IPN80R2K4P7ATMA1
quantità disponibile
39250 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.29088
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ P7 COOLMOS P7 800V SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IPN80R2K4P7ATMA1
Numero di parte futuro FT-IPN80R2K4P7ATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™ P7
IPN80R2K4P7ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 500V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 6.3W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223
Pacchetto / caso TO-261-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN80R2K4P7ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPN80R2K4P7ATMA1-FT

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