casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLI540N
codice articolo del costruttore | IRLI540N |
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Numero di parte futuro | FT-IRLI540N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLI540N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 54W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB Full-Pak |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLI540N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLI540N-FT |
IPAN50R500CEXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R360P7SXKSA1
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IPAW60R280P7SXKSA1
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IPA60R099P6XKSA1
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IPAW60R600P7SXKSA1
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IPA65R190C7XKSA1
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IPA60R120P7XKSA1
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XC3164A-3TQ144C
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XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
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5CGXFC9A6U19A7N
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5AGXFB1H4F35C4N
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