casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRF8739L2TR
codice articolo del costruttore | AUIRF8739L2TR |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRF8739L2TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF8739L2TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 57A (Ta), 545A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.6 mOhm @ 195A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 562nC @ 10V |
Vgs (massimo) | 40V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 17890pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 340W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET L8 |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric L8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF8739L2TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF8739L2TR-FT |
IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA105N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA65R600E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel