casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRF7669L2TR
codice articolo del costruttore | AUIRF7669L2TR |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRF7669L2TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF7669L2TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 114A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5660pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.3W (Ta), 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET L8 |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric L8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF7669L2TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF7669L2TR-FT |
IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA105N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA65R600E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel