casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPN50R950CEATMA1
codice articolo del costruttore | IPN50R950CEATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPN50R950CEATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPN50R950CEATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223 |
Pacchetto / caso | TO-261-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN50R950CEATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPN50R950CEATMA1-FT |
SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
AUIRF7669L2TR
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