casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRF7739L2TR
codice articolo del costruttore | AUIRF7739L2TR |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRF7739L2TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF7739L2TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Ta), 270A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 160A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11880pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET L8 |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric L8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF7739L2TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF7739L2TR-FT |
IPA70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA65R600E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
BUZ80A
Infineon Technologies
IPA029N06NXKSA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel