casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R120C7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R120C7XKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPA60R120C7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPA60R120C7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 390µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R120C7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R120C7XKSA1-FT |
BSP89 E6327
Infineon Technologies
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP92P E6327
Infineon Technologies
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies
SPN01N60C3
Infineon Technologies
SPN02N60C3
Infineon Technologies
SPN02N60C3 E6433
Infineon Technologies
SPN02N60S5
Infineon Technologies
SPN03N60C3
Infineon Technologies
SPN03N60S5
Infineon Technologies
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel