casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPL60R065P7AUMA1
codice articolo del costruttore | IPL60R065P7AUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPL60R065P7AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPL60R065P7AUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 15.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2895pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 201W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-VSON-4 |
Pacchetto / caso | 4-PowerTSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL60R065P7AUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPL60R065P7AUMA1-FT |
IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
BUZ80A
Infineon Technologies
IPA029N06NXKSA1
Infineon Technologies
IPA030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
IPA100N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA126N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel