casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA030N10N3GXKSA1
codice articolo del costruttore | IPA030N10N3GXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA030N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPA030N10N3GXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 79A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 79A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 41W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA030N10N3GXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA030N10N3GXKSA1-FT |
BSP372 E6327
Infineon Technologies
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP373 E6327
Infineon Technologies
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP603S2LHUMA1
Infineon Technologies
BSP613P
Infineon Technologies
BSP613PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP615S2L
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel