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Infineon Technologies BSF083N03LQ G

Name: BSF083N03LQ G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSF083N03LQ G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (509 reviews)

Numero parte MFG: BSF083N03LQ G

quantità disponibile: 14530 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSF083N03LQ G.pdf

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BSF083N03LQ G specificazioni

codice articolo del costruttore	BSF083N03LQ G
Numero di parte futuro	FT-BSF083N03LQ G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSF083N03LQ G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 53A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.2W (Ta), 36W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso	3-WDSON
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSF083N03LQ G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSF083N03LQ G-FT

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