casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI04N03LA
codice articolo del costruttore | IPI04N03LA |
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Numero di parte futuro | FT-IPI04N03LA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI04N03LA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3877pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 107W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI04N03LA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI04N03LA-FT |
IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R199CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R250CP
Infineon Technologies
IPW60R280E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R299CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R045C7300XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R045C7FKSA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel