casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI04N03LA
codice articolo del costruttore | IPI04N03LA |
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Numero di parte futuro | FT-IPI04N03LA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI04N03LA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3877pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 107W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI04N03LA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI04N03LA-FT |
IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R199CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R250CP
Infineon Technologies
IPW60R280E6FKSA1
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IPW60R299CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R045C7300XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R045C7FKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.