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Infineon Technologies IPW60R299CPFKSA1

Numero parte MFG
IPW60R299CPFKSA1
quantità disponibile
89380 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IPW60R299CPFKSA1
Numero di parte futuro FT-IPW60R299CPFKSA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™
IPW60R299CPFKSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW60R299CPFKSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPW60R299CPFKSA1-FT

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