casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW65R045C7300XKSA1
codice articolo del costruttore | IPW65R045C7300XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW65R045C7300XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPW65R045C7300XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 24.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.25mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4.34nF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R045C7300XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW65R045C7300XKSA1-FT |
IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
Intel