casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R800CEAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD60R800CEAUMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD60R800CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPD60R800CEAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R800CEAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD60R800CEAUMA1-FT |
IPC26N12NX1SA1
Infineon Technologies
IPC26N12NX2SA1
Infineon Technologies
IPC300N15N3RX1SA2
Infineon Technologies
IPC300N20N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC302N08N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N08N3X2SA1
Infineon Technologies
IPC302N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N12N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N15N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N15N3X7SA1
Infineon Technologies
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel