casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R800CEAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD60R800CEAUMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD60R800CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPD60R800CEAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R800CEAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD60R800CEAUMA1-FT |
IPC26N12NX1SA1
Infineon Technologies
IPC26N12NX2SA1
Infineon Technologies
IPC300N15N3RX1SA2
Infineon Technologies
IPC300N20N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC302N08N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N08N3X2SA1
Infineon Technologies
IPC302N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N12N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N15N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N15N3X7SA1
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel