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Infineon Technologies IPC26N12NX1SA1

Name: IPC26N12NX1SA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC26N12NX1SA1
Price: 2.569456 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (28 reviews)

Numero parte MFG: IPC26N12NX1SA1

quantità disponibile: 46180 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.569456

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPC26N12NX1SA1.pdf

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IPC26N12NX1SA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPC26N12NX1SA1
Numero di parte futuro	FT-IPC26N12NX1SA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPC26N12NX1SA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 244µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Sawn on foil
Pacchetto / caso	Die
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC26N12NX1SA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPC26N12NX1SA1-FT

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