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Infineon Technologies IPC26N12NX1SA1

Numero parte MFG
IPC26N12NX1SA1
quantità disponibile
46180 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.569456
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPC26N12NX1SA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IPC26N12NX1SA1
Numero di parte futuro FT-IPC26N12NX1SA1
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPC26N12NX1SA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 244µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Sawn on foil
Pacchetto / caso Die
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC26N12NX1SA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPC26N12NX1SA1-FT

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