casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPC302N08N3X1SA1
codice articolo del costruttore | IPC302N08N3X1SA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPC302N08N3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPC302N08N3X1SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC302N08N3X1SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC302N08N3X1SA1-FT |
FDZ191P_P
ON Semiconductor
FDZ201N
ON Semiconductor
FDZ202P
ON Semiconductor
FDZ203N
ON Semiconductor
FDZ204P
ON Semiconductor
FDZ206P
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FDZ208P
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FDZ209N
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FDZ293P
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FDZ298N
ON Semiconductor
A3PE600-1FG256I
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A3P1000-2PQ208
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ICE65L04F-LCB132C
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ICE40LP640-SWG16TR50
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A40MX02-PLG68M
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A42MX16-2TQG176
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AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
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