casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPC302N15N3X1SA1
codice articolo del costruttore | IPC302N15N3X1SA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPC302N15N3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPC302N15N3X1SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC302N15N3X1SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC302N15N3X1SA1-FT |
FDZ204P
ON Semiconductor
FDZ206P
ON Semiconductor
FDZ208P
ON Semiconductor
FDZ209N
ON Semiconductor
FDZ293P
ON Semiconductor
FDZ298N
ON Semiconductor
FDZ299P
ON Semiconductor
FDZ4670
ON Semiconductor
FDZ4670S
ON Semiconductor
FDZ5047N
ON Semiconductor
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel