casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPC045N10N3X1SA1
codice articolo del costruttore | IPC045N10N3X1SA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPC045N10N3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPC045N10N3X1SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC045N10N3X1SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC045N10N3X1SA1-FT |
FDN360P-NBGT003B
ON Semiconductor
FDR4420A
ON Semiconductor
FDR6580
ON Semiconductor
FDR6674A
ON Semiconductor
FDR838P
ON Semiconductor
FDR840P
ON Semiconductor
FDR842P
ON Semiconductor
FDR844P
ON Semiconductor
FDR858P
ON Semiconductor
FDS4465_SN00187
ON Semiconductor
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel