casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPC045N10L3X1SA1
codice articolo del costruttore | IPC045N10L3X1SA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPC045N10L3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPC045N10L3X1SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 33µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC045N10L3X1SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC045N10L3X1SA1-FT |
FDN337N-F169
ON Semiconductor
FDN360P-NBGT003B
ON Semiconductor
FDR4420A
ON Semiconductor
FDR6580
ON Semiconductor
FDR6674A
ON Semiconductor
FDR838P
ON Semiconductor
FDR840P
ON Semiconductor
FDR842P
ON Semiconductor
FDR844P
ON Semiconductor
FDR858P
ON Semiconductor
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel