casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPC218N04N3X1SA1
codice articolo del costruttore | IPC218N04N3X1SA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPC218N04N3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPC218N04N3X1SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC218N04N3X1SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC218N04N3X1SA1-FT |
FDR840P
ON Semiconductor
FDR842P
ON Semiconductor
FDR844P
ON Semiconductor
FDR858P
ON Semiconductor
FDS4465_SN00187
ON Semiconductor
FDS6298_G
ON Semiconductor
FDV304P-CGB8
ON Semiconductor
FDWS9520L-F085
ON Semiconductor
FDY301NZ_G
ON Semiconductor
FDZ191P_P
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel