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Infineon Technologies IPD30N12S3L31ATMA1
- Numero parte MFG
- IPD30N12S3L31ATMA1
- quantità disponibile
- 23830 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.40816
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- * MOSFET N-CHANNEL100
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IPD30N12S3L31ATMA1.pdf
IPD30N12S3L31ATMA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | IPD30N12S3L31ATMA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IPD30N12S3L31ATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | * |
| IPD30N12S3L31ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPD30N12S3L31ATMA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IPD30N12S3L31ATMA1-FT |
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