casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD30N12S3L31ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD30N12S3L31ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD30N12S3L31ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPD30N12S3L31ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD30N12S3L31ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD30N12S3L31ATMA1-FT |
IPB80R290C3AATMA1
Infineon Technologies
IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
IPC014N03L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC020N10L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC022N03L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC028N03L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC042N03L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC045N10L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC045N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC055N03L3X1SA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.