casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPC014N03L3X1SA1
codice articolo del costruttore | IPC014N03L3X1SA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPC014N03L3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPC014N03L3X1SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC014N03L3X1SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC014N03L3X1SA1-FT |
FDMC7692_F126
ON Semiconductor
FDMJ1027P
ON Semiconductor
FDMS0306S
ON Semiconductor
FDMS86200E
ON Semiconductor
FDMS9409L-F085
ON Semiconductor
FDN337N-F169
ON Semiconductor
FDN360P-NBGT003B
ON Semiconductor
FDR4420A
ON Semiconductor
FDR6580
ON Semiconductor
FDR6674A
ON Semiconductor
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel