casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB80N06S407ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB80N06S407ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB80N06S407ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB80N06S407ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S407ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80N06S407ATMA1-FT |
IPB60R160C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R160P6ATMA1
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IPB60R180P7ATMA1
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IPB60R190C6ATMA1
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IPB60R190P6ATMA1
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IPB60R199CPAATMA1
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IPB60R199CPATMA1
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IPB60R230P6ATMA1
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IPB60R250CPATMA1
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IPB60R280C6ATMA1
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