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codice articolo del costruttore | IPB60R180P7ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB60R180P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPB60R180P7ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1081pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 72W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R180P7ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB60R180P7ATMA1-FT |
IPB080N06N G
Infineon Technologies
IPB083N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB083N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB085N06L G
Infineon Technologies
IPB08CN10N G
Infineon Technologies
IPB08CNE8N G
Infineon Technologies
IPB090N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB093N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB096N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB097N08N3 G
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation