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codice articolo del costruttore | IPB80N06S3L-06 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB80N06S3L-06 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB80N06S3L-06 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 56A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 80µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 196nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9417pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S3L-06 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80N06S3L-06-FT |
IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R125CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R160C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R190C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R190P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R199CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel