casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB14N03LA
codice articolo del costruttore | IPB14N03LA |
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Numero di parte futuro | FT-IPB14N03LA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB14N03LA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1043pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 46W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB14N03LA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB14N03LA-FT |
IPB033N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB034N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB037N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB038N12N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB03N03LA
Infineon Technologies
IPB03N03LA G
Infineon Technologies
IPB03N03LB
Infineon Technologies
IPB03N03LB G
Infineon Technologies
IPB041N04NGATMA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel