casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB034N03LGATMA1
codice articolo del costruttore | IPB034N03LGATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPB034N03LGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB034N03LGATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB034N03LGATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB034N03LGATMA1-FT |
AUIRF1324STRL7P
Infineon Technologies
AUIRF1404S
Infineon Technologies
AUIRF1404STRL
Infineon Technologies
AUIRF1404ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF1405ZS
Infineon Technologies
AUIRF1405ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF2804STRL
Infineon Technologies
AUIRF2805S
Infineon Technologies
AUIRF2903ZS
Infineon Technologies
AUIRF2903ZSTRL
Infineon Technologies