casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB033N10N5LFATMA1
codice articolo del costruttore | IPB033N10N5LFATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB033N10N5LFATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™-5 |
IPB033N10N5LFATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 179W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB033N10N5LFATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB033N10N5LFATMA1-FT |
AUIRF1324STRL
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AUIRF1324STRL7P
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AUIRF1404S
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