casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB03N03LA G
codice articolo del costruttore | IPB03N03LA G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPB03N03LA G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB03N03LA G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7027pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB03N03LA G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB03N03LA G-FT |
AUIRF1405ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF2804STRL
Infineon Technologies
AUIRF2805S
Infineon Technologies
AUIRF2903ZS
Infineon Technologies
AUIRF2903ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3205ZS
Infineon Technologies
AUIRF3205ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3315S
Infineon Technologies
AUIRF3315STRL
Infineon Technologies
AUIRF3710ZSTRL
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel