casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA80R360P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA80R360P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA80R360P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPA80R360P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 500V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA80R360P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA80R360P7XKSA1-FT |
IPA075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R750P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R950C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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EPF10K130EFC484-1N
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5SGSED6K2F40I3L
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5SGSMD8K2F40I2LN
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5SGXEA3K3F35C2N
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XC6VLX240T-L1FFG1759I
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XC4VLX60-12FFG1148C
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XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
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