casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R950C6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R950C6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R950C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA60R950C6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 26W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R950C6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R950C6XKSA1-FT |
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP296L6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP296NH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSP297 E6327
Infineon Technologies
BSP297H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP297L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP298 E6327
Infineon Technologies
BSP298L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP299 E6327
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel