casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA50R280CEXKSA2
codice articolo del costruttore | IPA50R280CEXKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA50R280CEXKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPA50R280CEXKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 773pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA50R280CEXKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA50R280CEXKSA2-FT |
BSP295E6327
Infineon Technologies
BSP295E6327T
Infineon Technologies
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP296 E6433
Infineon Technologies
BSP296E6327
Infineon Technologies
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP296L6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP296NH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSP297 E6327
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel