casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R170CFD7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R170CFD7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R170CFD7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CFD7 |
IPA60R170CFD7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1199pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 26W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R170CFD7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R170CFD7XKSA1-FT |
BSP179H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP295E6327
Infineon Technologies
BSP295E6327T
Infineon Technologies
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP296 E6433
Infineon Technologies
BSP296E6327
Infineon Technologies
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP296L6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP296NH6433XTMA1
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation