casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA80R1K4P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA80R1K4P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA80R1K4P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA80R1K4P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 500V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 24W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA80R1K4P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA80R1K4P7XKSA1-FT |
IXTY55N075T
IXYS
IXTY5N50P
IXYS
IXTY64N055T
IXYS
NP15P04SLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP15P06SLG-E1-AY
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NP20P06SLG-E1-AY
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NP22N055SHE-E1-AY
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NP22N055SLE-E1-AY
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NP32N055SLE-E1-AY
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XC3S50-4TQG144I
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XC3S5000-4FGG676I
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XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
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MPF300T-1FCG1152E
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AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
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LFEC6E-3Q208I
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LFXP2-17E-6F484C
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10AX066K2F40E2LG
Intel