casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA80R1K0CEXKSA1
codice articolo del costruttore | IPA80R1K0CEXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA80R1K0CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPA80R1K0CEXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA80R1K0CEXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA80R1K0CEXKSA1-FT |
IPA045N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA028N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel