casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPAN70R450P7SXKSA1
codice articolo del costruttore | IPAN70R450P7SXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPAN70R450P7SXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPAN70R450P7SXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 424pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 22.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAN70R450P7SXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPAN70R450P7SXKSA1-FT |
BSP170PE6327T
Infineon Technologies
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP171PE6327
Infineon Technologies
BSP171PE6327T
Infineon Technologies
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP179H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP295E6327
Infineon Technologies
BSP295E6327T
Infineon Technologies
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP296 E6433
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel